摘要: 研究了C/SiC复合材料氧化烧蚀机理，发现它们与传统的硅基和碳基材料烧蚀有很大差别。C/SiC的烧蚀取决于氧的分压、表面温度和材料晶态结构及成份，可能出现活性氧化和惰性氧化两种破坏机制。研究了氧化膜的形成和破坏条件，以及氧化膜中氧气的扩散机制，建立了适用于C、Si、SiC和C/SiC(C和SiC可有不同混和比)四种材料烧蚀计算的通用物理数学模型。